随着制造工艺的更新换代，半导体的电路线宽越微细化，目前**进的是7纳米（纳米为10亿分之1米），5nm工艺的芯片正式生产也已经提上日程。半导体线路越细微化性能越会提高，耗电量也将降低，但同时生产将会有很大的难度，如果出现细微的缺陷，半导体的电路就无法正常形成。
半导体制造工艺的精细化，相应半导体缺陷检测难度也越困难。微米级电子半导体最常使用的是X-ray实时成像检测装备，从检测图像中找到缺陷位置，但由于电子元件越做越小，所以对X-ray检测设备的分辨率和放大倍率要求很高。目前精度**的是半导体CT检测设备，它与X-ray设备检测原理相同，但CT设备的检测精度会更高，并且它的检测图像是三维的，通过对被测物体进行360度旋转获取成百上千张二维数字成像投影并通过特定的算法将其重建为三维体积图像，用户可以对三维体积进行任意角度的观察和切片。
X射线检测装备主要是检测半导体接线处的焊接问题，焊接容易出现虚焊、漏焊等缺陷，一旦形成这些缺陷，半导体就容易出现短路等问题，为了半导体元件的正常使用，在焊接完成后需要进行缺陷检测。随着半导体生产技术的发展，X射线检测装备也在不断研发升级，致力于为电子制造商提供优质的检测装备。
纳米级芯片检测目前X射线检测装备还无法达到检测要求，但为了适应科技的发展，各类缺陷检测手段一定会应运而生，用来更好的服务产品和企业。
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